我國(guó)首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

2018-04-16 來(lái)源：評(píng)論：0

摘要：位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)１１日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。

　　位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)１１日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。

　　目前，我國(guó)通用存儲(chǔ)器基本全部依賴進(jìn)口，國(guó)家存儲(chǔ)器基地于２０１７年成功研發(fā)我國(guó)首顆３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片。這顆耗資１０億美元、由１０００人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)２年自主研發(fā)的芯片，是我國(guó)在制造工藝上最接近國(guó)際高端水平的主流芯片，有望使我國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)，有力提升“中國(guó)芯”在國(guó)際市場(chǎng)的地位。

　　據(jù)介紹，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目２０１６年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，總投資２４０億美元，項(xiàng)目一期總產(chǎn)能將達(dá)到３０萬(wàn)片／月，年產(chǎn)值將超過(guò)１００億美元。

　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，今年１０月設(shè)備將點(diǎn)亮投產(chǎn)，預(yù)計(jì)２０１９年底６４層閃存產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)爬坡量產(chǎn)。未來(lái)十年，紫光集團(tuán)計(jì)劃至少還將投資１０００億美元，相當(dāng)于平均每年投入１００億美元，進(jìn)一步拉近我國(guó)在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國(guó)家的距離。

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